En la carrera constante por desarrollar sistemas de inteligencia artificial más potentes, la compañía NEO Semiconductor ha anunciado el lanzamiento de NEO.AI, una memoria de nueva generación concebida para superar el denominado «Muro de la Memoria» (AI Memory Wall).
NEO.AI acelera el hardware de IA combinando X-SRAM y 3D X-DRAM
Este desarrollo busca solucionar de manera simultánea los dos mayores problemas de almacenamiento en hardware de IA, que son la capacidad de la memoria integrada en el chip (caché) y la capacidad limitada de la memoria de alto ancho de banda (HBM).
A medida que los modelos de lenguaje de IA aumentan su complejidad, la tecnología de escalado SRAM convencional ha comenzado a mostrar signos de desaceleración en nodos avanzados, mientras que las memorias HBM actuales sufren por las restricciones físicas del DRAM en dos dimensiones. Para abordar estas trabas, la arquitectura NEO.AI integra dos tecnologías revolucionarias, que son X-SRAM y 3D X-DRAM.
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Por un lado, X-SRAM ofrece hasta cinco veces más densidad de memoria dentro del chip que la SRAM tradicional. Esta innovación mantiene un rendimiento de velocidad equivalente y es plenamente compatible con procesos de fabricación CMOS de nanosheets, abriendo además el camino hacia futuras implementaciones monolíticas en tres dimensiones. Por otro lado, 3D X-DRAM aprovecha los procesos de manufactura probados de la memoria 3D NAND para multiplicar hasta por diez la capacidad de las memorias HBM respecto al DRAM estándar.
Andy Hsu, fundador y CEO de NEO Semiconductor, destacó que la innovación en memoria es un crucial para el futuro de la inteligencia artificial. Según Hsu, la combinación de X-SRAM y 3D X-DRAM proporciona una base de almacenamiento altamente escalable que impulsará la próxima generación de procesadores de IA. A sus palabras se unió Stan Shih, fundador de Acer y miembro del consejo asesor de la empresa, quien aseguró que superar estos obstáculos tecnológicos creará valiosas oportunidades de crecimiento para conseguir procesos informáticos más rápidos en los próximos años.
